1月6日上午，湖南大學半導體應用技術創新研究院院長，國家傑出青年基金獲得者，萬人計劃“青年拔尖人才”廖蕾教授和華南理工大學發光材料與器件國家重點實驗室研究員，國家優秀青年基金獲得者、珠江學者，科技部“十五五”規劃總體專家組專家蘭林鋒研究員應我校聶國政副教授邀請，在知行樓B509做了兩場精彩的學術報告。

首先，廖蕾教授做了題為“範德華集成技術調控二維半導體器件界面”的學術講座。講座介紹二維半導體材料的低功耗新型器件被認為有望延續摩爾定律存在空間，得到更小尺寸、更高密度的集成電路。然而由于原子級體厚度，傳統的器件工藝難以應用于脆弱的二維晶格，限制了二維半導體器件的性能與其應有的新奇特性。廖蕾教授首次提出範德華異質集成的方法，實現了低缺陷态密度的完美栅極接觸界面，獲得了大規模高速射頻晶體管。發展了超薄緩沖層法，避免了栅極介質與二維溝道之間的直接鍵合，獲得了亞阈值擺幅接近理論極限的高遷移率二維晶體管。廖蕾教授在Nature、Nature Electron.、Nature Nano.、 Nature Commun.等學術期刊發表SCI論文200餘篇，H因子82。授權中國發明專利7項。獲得IUMRS國際材料聯合會前沿材料青年獎、湖南省青年科技獎、湖南省自然科學一等獎、教育部自然科學一等獎和湖北省自然科學一等獎兩次。

▲廖蕾教授學術講座

随後蘭林鋒研究員做了題為“高遷移率薄膜晶體管及其在新型顯示和類腦計算中的應用探索”的學術講座。蘭林鋒研究員面對顯示應用方面，TFT面臨遷移率低、穩定性差的問題。研究了稀土離子的電荷轉移躍遷對氧化物半導體的光穩定性的改善作用。研究表明：四價稀土離子（ 如Pr4+和Tb4+）的電荷轉移躍遷能将入射光下轉換成無輻射躍遷态，大幅降低光生電子的壽命，從而大幅改善氧化物TFT光熱穩定性，同時提高遷移率。相關材料與通過京東方、TCL華星的工藝驗證，目前正導入高世代G8.6産線。此外，進一步探索了TFT的可拉伸化構建及其在類腦計算中的新應用，實現了具有長程可塑、學習記憶功能的可拉伸突觸晶體管。蘭林鋒研究員主要從事半導體材料與器件、薄膜晶體管、新型顯示、柔性電子、印刷電子等方向的研究。獲廣東省技術發明一等獎、中國光學科技獎三等獎、全國颠覆性技術創新大賽優秀獎、世界客屬優秀青年博士獎、廣東省材料研究學會青年科技獎等。發表SCI論文150多篇，被引用5000多次。獲授權發明專利40多件。

▲蘭林鋒研究員學術講座

兩位專家的報告展示了在突破摩爾定律極限條件下範德華異質集成的方法和新型顯示、柔性電子等方面最新研究成果，參會老師、與學生與兩位專家展開了熱烈的讨論。兩位專家精彩的報告，頂級科研成果和嚴謹科研風範給我校師生帶來了一場精彩學術盛宴。

（一審：賀祖龍 二審：詹傑 三審：易貴元）