報告人：華南理工大學發光材料與器件國家重點實驗室蘭林鋒研究員

報告時間：2025年1月6日上午9：40

報告地點：知行樓B509

報告摘要：薄膜晶體管（Thin-Film Transistor，TFT）是以非矽薄膜型半導體為有源層的場效應晶體管，其作為數據寫入或讀出的基礎單元器件廣泛用于顯示及各類傳感陣列中。在顯示應用方面，TFT面臨遷移率低、穩定性差的問題。課題組研究了稀土離子的電荷轉移躍遷對氧化物半導體的光穩定性的改善作用。研究表明：四價稀土離子（ 如Pr4+和Tb4+）的電荷轉移躍遷能将入射光下轉換成無輻射躍遷（從|Ln4f n—O2p6>态轉移至|Ln4f n+1—O2p5>），大幅降低光生電子的壽命，從而大幅改善氧化物TFT光熱穩定性，同時提高遷移率。相關材料與通過京東方、TCL華星的工藝驗證，目前正導入高世代G8.6産線。此外，進一步探索了TFT的可拉伸化構建及其在類腦計算中的新應用，實現了具有長程可塑、學習記憶功能的可拉伸突觸晶體管。

報告人簡介：蘭林鋒，華南理工大學發光材料與器件國家重點實驗室研究員，光電系主任，博士生導師，國家優秀青年基金獲得者、珠江學者。科技部“十五五”規劃總體專家組專家，教育部全國研究生教育評估監測專家，教育部首批全國高校“黃大年式”教師團隊成員。擔任國際信息顯示協會（北京分會）技術委員會委員，中國物理學會發光分會委員，Materials期刊編委。主要從事半導體材料與器件、薄膜晶體管、新型顯示、柔性電子、印刷電子等方向的研究。獲廣東省技術發明一等獎、中國光學科技獎三等獎、全國颠覆性技術創新大賽優秀獎、世界客屬優秀青年博士獎、廣東省材料研究學會青年科技獎等。發表SCI論文150多篇，被引用5000多次。獲授權發明專利40多件。編寫“十三五”國家重點規劃出版物《印刷顯示材料與技術》、“十四五”國家重點規劃出版物《薄膜晶體管材料與技術》等教材或專著。

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2025年1月3日