載流子傳輸特性有效決定納米電子器件的電子性能，因而受到廣泛關注。而形成異質結是調節材料物理和化學性質的有效途徑。我院17級本科生曾小龍在殷文金副教授團隊指導下，利用第一原理結合形變勢理論研究了Janus MoSSe/GaN結構的電子結構和載流特性。發現該異質結構具有優越的電學性能，如電子載流子遷移率為281.28 cm²·V⁻¹·s⁻¹，空穴載流子為3951.2 cm²·V⁻¹·s⁻¹。特别是，載流子遷移率的大小可以通過Janus結構和疊加模式來進一步調節異質結構。結果表明，有效質量和彈性模量對其影響較大異質結的載流子遷移率不同，而變形勢對異質結的遷移率有不同的影響異質結構中電子和空穴的載流子遷移率。相關研究成果發表在SCI雜志Front. Phys. 16(3), 33501 (2021)。